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       99.6%氧化鋁陶瓷基板
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      ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
       氮化鋁基板
      氮化鋁基板
      ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
       99.6%氧化鋁陶瓷基板
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      ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
       99.6%氧化鋁陶瓷基板
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      ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
       氮化鋁生瓷帶
      氮化鋁生瓷帶
       氧化鋁白瓷
      氧化鋁白瓷
       氧化鋁黑瓷
      氧化鋁黑瓷
       氮化鋁基板
      氮化鋁基板
      ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
      企業介紹
      企業介紹

      Growth process

      發展歷程

      • 2019年5月成立,注冊資金3032萬元
      • 2020年1月14日,裝修完成
      • 2020年6月,投產

       

      新聞中心

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      公司成功認定為市級“企業技術中心”

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      新聞中心 發布時間 : 2023-12-08 15:53:05
      六方鈺成黨建工作開展

      六方鈺成黨建工作開展

      新聞中心 發布時間 : 2023-11-23 14:22:40
      社會責任

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      ?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW

      采用BiCDMOS高耐壓工藝,在內置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉換器IC中,實現了業內超高的80V耐壓等級,從而可以使安全工作范圍更寬?! ∨c同等輸出電流的普通產品相比,耐壓成功地提高了約20%,不僅在5G通信基站和服務器等的48V主電源系統中,而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統中,都擁有足夠的余量應對突發性的浪涌電壓,因此有助于提高應用產品的

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      發布時間:2020-12-07 18:30:37

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